SJ 50033.60-1995 半导体分立器件3DK40型功率开关晶体管详细规范

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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/60-1995,半导体分立器件,3DK40型功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type,3DK40 power switching transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK40型功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK40,Power switching transistor,SJ 50033/60-1995,范围,1.1主题内容,本规范规定了 3DK40型功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求,1.Z适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和果购,1.3分类,本规范根据器件底母保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587- 84双极型晶体管测试方法,GB 7581 - 87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 -85 半导体分立器件总规范,GJB 128 - 86半导体分立器件试脸方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出谕材料应为可伐。引出端表面应为锡层或银层,中华人民共和国电子工业部1995ー。5-25发あ1995-12-0 し:施,SJ 50033/60-1995,3.2.2 器件的结构,采用外延台而结构,3,2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GJB 7581的B2-01C型及如下的规定。见图1,mm,B2-Q1C,min nom max,A,8,63,12,19,M 1.52,他0366 1.092,粕22.86,d 5.45*,F 3,50,L 8 13.9,レ1.52,即3.85 4.21,Q 29.90 30.40,烏13.58,生4.52,S 6,89,5 4¢). 13,5 27 J7,1一基极,21—发射极,5 集电极接外壳,图1外形图,3.3 最大颔定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型号,p上 :ot u,Tc = 25t,CW),VcHO,(V),^CFO,(V),Mebo,(V),I匚,(A) (A) (V),J,.,3DK4QC,3DK40D,3DK40E,3DK40F,225,80,110,150,200,80,110,150,200,5 20,<,4 门5 75~175,注:1)丁(:>25じ时,按1.5Wハ:而速率战性地降额,3.3.2 主要电特性(Ta = 25じ),2,SJ 50033/60- 1995,k,h卜El,V<:e = 3V,Ie= 10A,如し厶h RlM: J Q,VcE ヨ !0V,/C = 3A,(七/W),い10A,(V),/c= 10A,Jr】=c f 改=%,地),3DK40JF,最小值果大值最大值最大值最大值,20 80 0.8 2,0 L0 2.0 0.9 0.67,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检査,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT极),筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛选(见GJB 33-2) 测试或试验,7.中间电参数测试1〇〇和^FEI,8.功率老化,条件:△=162.5土 12.5C,Vck = 20V,P.训 2.5W ",9.最后测试按本规范表1的A2分组,△ IcboiE初始值的10。%>500(xA,取较大者;,△、阳E初始值的±2。%,4.4 质量一致性检睑,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检験,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检験,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检睑应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检験方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定进行,3,SJ 50033/60^1995,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1条的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条件最小值最大值,A1分组,外观及机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,集电极ー发射,极击穿电压,3DK4OC,3DK40D,3DK40E,3DK40F ',发射极一基极,击穿电压,集电极一基极,載止电流,集电极ー龙射,极截止电前,集电极一发財,极饱和电压,基极ー发射极,饱和电压,正向电流传输比,本规范,附录A,2.9.2.2,2. 1,2.14,2.3,2.4,2.8,发射极一基极开路,じ二 10mA,集电极3基板开路,/白テ20mA,发射极一基板开路,匕口上匕即,发射极一墓极开路,匕セエ015yL包,/c= 10A,lt= 10A,Re = 3V,加 n……

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